离子液体门控单层过渡金属二元化合物的光控电子相变
载流子密度的电场控制对于揭示超导性、电荷密度波等许多有趣的量子现象和构建功能器件至关重要。传统的由固体电介质制成的场效应晶体管(FET)的片状载流子密度约为1013 cm-2，而基于离子液体(IL)的电双层晶体管(EDLT)可以积累载流子到1014或1015 cm-2，因此它被广泛地应用于材料科学，并取得了丰硕的成果。然而，EDLT中的IL会在低温下冻结，导致在低温下其门控场无法进行调控。近期开发的“热释放”技术将操作温度扩展到了IL玻璃转化温度以下，但在低温下对量子相变的高要求原位控制依旧无法实现。
光照已被证明可以在许多系统中调节载流子密度，其基本机制是光子激活被困载流子并增加载流子密度。由于EDLT具有超强电场，所以光刺激也可以提供对其载流子密度的额外控制。基于此，北京大学路建明和格罗宁根大学Jianting Ye等人报道了低温下IL场效应晶体管中单层过渡金属二元化物(TMDCs)的光照控制电子相变。
图1. 离子门控单层WS2中光可控的电子相变
研究者先采用单层WS2的EDLT进行实验，这是一种典型的半导体TMDCs，其器件结构如图1a所示。EDLT装置是由单层WS2薄片从块状晶体中机械剥离，然后用标准的电子束光刻技术，结合IL N,N-二乙基-N-（2-甲氧基乙基）N-甲基铵双(三氟甲磺酰)亚胺 (DEME-TFSI)制作而成。图1b显示了连续照明下随时间变化的片状电阻Rs。与正常的光导率相比，由激发电子从价带到导带引起的Rs的变化是持续的。Rs的显著下降意味着电子状态的巨大变化。在每个选定的曝光时间，Rs的温度依赖性测量值低至2 K，如图1c所示。当暴露时间增加时，可以观察到明确的再入绝缘超导相变。
图2. 由光照诱发的进化型超导特性
研究者观察了曝光时间与其超导特性的关系（如图2）。发现载流子密度随着曝光时间的增加而不断降低，载流子迁移率逐渐升高（图2b），这与通过光学激发俘获电子产生更多载流子的传统情况相反。同时，超导临界温度Tc也逐渐升高（图2c）。载流子密度和迁移率的相反趋势推断出中性缺陷散射（短程相互作用）主导了迁移率，这是由于带电的杂质中心（长程）倾向于被屏蔽，因此当载流子密度变高时造成的散射较少。
图3. 离子门控单层MoS2的光照
为了在更广泛的IL门控范围内评估光照效果，研究者采用了MoS2的EDLT进行进一步研究，它具有非常弱的绝缘行为。在连续的蓝光照射下，MoS2的Rs也可以被有效地调节，与WS2的性能相似（图3a），MoS2的EDLT曝光时间与载流子密度的关系也与WS2相似（图3b）。可以得出结论：光照普遍降低单层TMDCs的EDLT载流子密度。
图4. IL晶体管中的光子辅助场发射模型
为了理解载流子密度对光照的不寻常的依赖性，研究者初步用光子辅助场发射模型来理解它（图4）。如图4a左所示，在几个电子伏特的光子协助下，电子将有足够的能量穿过三角形表面势垒，随后被IL中带正电的离子捕获（即中和）。电双层内的有效电荷，即电位屏障左边的阳离子和右边的电子的密度开始减少，这反过来又削弱了形成表面电位屏障的电场F，隧穿概率以指数形式衰减。随着长时间的光照，最终达到了图4a右所示的情况，即禁止传导带中的残余电子通过几乎未修改的势垒隧道。因此，照明效应被抑制，Rs和nH都达到饱和。
总之，该项工作报道了一种不寻常的光照效应，它直接控制了离子门控单层TMDC在低温下从再入绝缘态到超导态的电子相变，这是一种通过调整载流子密度来连续控制电子相变的新方法，可能为器件应用带来广阔的前景。
原文链接：
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.1c01467
原文作者：
Maosen Qin, Xiangyan Han, Dongdong Ding, Ruirui Niu, Zhuangzhuang Qu, Zhiyu Wang, Zhi-Min Liao, Zizhao Gan, Yuan Huang, Chunrui Han, Jianming Lu, and Jianting Ye
DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c01467
载流子密度的电场控制对于揭示超导性、电荷密度波等许多有趣的量子现象和构建功能器件至关重要。传统的由固体电介质制成的场效应晶体管(FET)的片状载流子密度约为1013 cm-2，而基于离子液体(IL)的电双层晶体管(EDLT)可以积累载流子到1014或1015 cm-2，因此它被广泛地应用于材料科学，并取得了丰硕的成果。然而，EDLT中的IL会在低温下冻结，导致在低温下其门控场无法进行调控。近期开发的“热释放”技术将操作温度扩展到了IL玻璃转化温度以下，但在低温下对量子相变的高要求原位控制依旧无法实现。
光照已被证明可以在许多系统中调节载流子密度，其基本机制是光子激活被困载流子并增加载流子密度。由于EDLT具有超强电场，所以光刺激也可以提供对其载流子密度的额外控制。基于此，北京大学路建明和格罗宁根大学Jianting Ye等人报道了低温下IL场效应晶体管中单层过渡金属二元化物(TMDCs)的光照控制电子相变。
图1. 离子门控单层WS2中光可控的电子相变
研究者先采用单层WS2的EDLT进行实验，这是一种典型的半导体TMDCs，其器件结构如图1a所示。EDLT装置是由单层WS2薄片从块状晶体中机械剥离，然后用标准的电子束光刻技术，结合IL N,N-二乙基-N-（2-甲氧基乙基）N-甲基铵双(三氟甲磺酰)亚胺 (DEME-TFSI)制作而成。图1b显示了连续照明下随时间变化的片状电阻Rs。与正常的光导率相比，由激发电子从价带到导带引起的Rs的变化是持续的。Rs的显著下降意味着电子状态的巨大变化。在每个选定的曝光时间，Rs的温度依赖性测量值低至2 K，如图1c所示。当暴露时间增加时，可以观察到明确的再入绝缘超导相变。
图2. 由光照诱发的进化型超导特性
研究者观察了曝光时间与其超导特性的关系（如图2）。发现载流子密度随着曝光时间的增加而不断降低，载流子迁移率逐渐升高（图2b），这与通过光学激发俘获电子产生更多载流子的传统情况相反。同时，超导临界温度Tc也逐渐升高（图2c）。载流子密度和迁移率的相反趋势推断出中性缺陷散射（短程相互作用）主导了迁移率，这是由于带电的杂质中心（长程）倾向于被屏蔽，因此当载流子密度变高时造成的散射较少。
图3. 离子门控单层MoS2的光照
为了在更广泛的IL门控范围内评估光照效果，研究者采用了MoS2的EDLT进行进一步研究，它具有非常弱的绝缘行为。在连续的蓝光照射下，MoS2的Rs也可以被有效地调节，与WS2的性能相似（图3a），MoS2的EDLT曝光时间与载流子密度的关系也与WS2相似（图3b）。可以得出结论：光照普遍降低单层TMDCs的EDLT载流子密度。
图4. IL晶体管中的光子辅助场发射模型
为了理解载流子密度对光照的不寻常的依赖性，研究者初步用光子辅助场发射模型来理解它（图4）。如图4a左所示，在几个电子伏特的光子协助下，电子将有足够的能量穿过三角形表面势垒，随后被IL中带正电的离子捕获（即中和）。电双层内的有效电荷，即电位屏障左边的阳离子和右边的电子的密度开始减少，这反过来又削弱了形成表面电位屏障的电场F，隧穿概率以指数形式衰减。随着长时间的光照，最终达到了图4a右所示的情况，即禁止传导带中的残余电子通过几乎未修改的势垒隧道。因此，照明效应被抑制，Rs和nH都达到饱和。
总之，该项工作报道了一种不寻常的光照效应，它直接控制了离子门控单层TMDC在低温下从再入绝缘态到超导态的电子相变，这是一种通过调整载流子密度来连续控制电子相变的新方法，可能为器件应用带来广阔的前景。
原文链接：
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.1c01467
原文作者：
Maosen Qin, Xiangyan Han, Dongdong Ding, Ruirui Niu, Zhuangzhuang Qu, Zhiyu Wang, Zhi-Min Liao, Zizhao Gan, Yuan Huang, Chunrui Han, Jianming Lu, and Jianting Ye
DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c01467
1、hct在微博里什么意思？
htc意思是可能是某个粉丝群。
饭圈是追明星门们的追星族的圈子，是粉丝圈子的简称，该词也并非完全特指某一个特定的粉丝群。举个例子来说，刘亦菲的粉丝和刘诗诗的粉丝都属于追星这个大饭圈中。
如果是特指某一特定粉丝群经常会加上某些前缀词语，比如韩国的粉丝圈称之为韩饭圈，日本的粉丝群体称之为日饭圈。
扩展资料
饭圈字母缩写
【xswl】 笑死我了
这个是最近大家使用频率超高的缩略语
【xtms】 笑 tm 死
【zqsg】 真情实感
饭圈常曰：zqsg 的追星早晚都要遭报应的
【hyq】 好友圈(不是好有趣)
如果你发了条微博被人转 hyq 那是相当不爽啊
【sj】 视奸
【blx】 玻璃心
【tcjj】 天朝姐姐
【nhjj】 南韩姐姐
【rs】人参 即人身攻击
【ky】来源于日本文化
例如在 xx 家的视频里提别的爱豆 就是 ky 的表现
2、520，情人节，你们怎么表达爱意？
商家为卖货诱导消费者，没脑的女人瞎起哄，中国女人越来脑进水了，
商家造出来的节日，不过，但是又感觉缺失了点啥，人没有攀比心就好。